DISCO实现碳化硅片SiC 材料加工—全流程的降本提效！

      碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域 有着广泛的应用前景。碳化硅硬度高、脆性大、化学性质稳定，传统加工方法不完全适用因此在加工过程中会出现效率降低、成本增加的现象。

      DISCO 创造性地采用 KABRA 技术、4 轴磨削和干法抛光、超声波切割和隐形切割，分别在碳化硅片制造、器件减薄、 切割环节实现了显著的优化效果。 

      碳化硅片制造：2016 年，DISCO 研发出新型碳化硅晶锭激光切片技术（KABRA），显著 缩短加工用时，将单片 6 寸 SiC 晶圆的切割时间由 3.1 小时大幅缩短至 10 分钟，单位 材料损耗降低 56%，晶圆产量提升 1.4 倍。同时新技术可抑制晶圆起伏，无需研磨操作。

      碳化器件减薄：碳化硅断裂韧性较低，在薄化过程中易开裂，导致碳化硅晶片的减薄非 常困难。DISCO 通过 4 轴磨削提高生产率，通过干法抛光提高质量。

      碳化器件切割：超声波切割提高处理速度和质量、减少韧性材料的毛刺；隐形切割无需 清洗，且有助于减小芯片间隔。